英飞凌 IRFH7084TRPBF是采用 PQFN 5x6 封装的 40V 单 N 沟道 StrongIRFET™ 功率 MOSFET。
StrongIRFET™ 功率 MOSFET 系列针对低 RDS（导通）和高电流能力进行了优化。这些器件非常适合要求性能和坚固性的低频应用。全面的产品组合可满足包括直流电机、电池管理系统、逆变器和直流-直流转换器在内的广泛应用。
应用
半桥和全桥拓扑结构
同步整流器应用
谐振模式电源
DC/DC 转换器
DC/AC 逆变器
优势
改进了栅极、雪崩和动态 dV/dt 强度
全面鉴定电容和雪崩 SOA
增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力
无铅，符合 RoHS 规范
明佳达电子【供应】英飞凌晶体管 StrongIRFET™ IRFH7084TRPBF MOSFET N-CH 40V 100A PQFN，全新原装，价格优势，欢迎致电！
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
技术:Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体:PQFN-8
晶体管极性:N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:40 V
Id-连续漏极电流:265 A
Rds On-漏源导通电阻:950 uOhms
Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3.9 V
Qg-栅极电荷: 127 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 156 W
通道模式: Enhancement
商标名:StrongIRFET
配置:Single
下降时间: 34 ns
正向跨导 - 最小值:120 S
高度:0.83 mm
长度:6 mm
产品类型: MOSFETs
上升时间: 31 ns
工厂包装数量: 4000
子类别:Transistors
晶体管类型:1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 64 ns
典型接通延迟时间: 16 ns
宽度:5 mm
