明佳达电子有限公司原装出售INTERSIL HIP2100 HIP2100IBZT N沟道MOSFET半桥栅极驱动器 库存现货
批号：07+
封装：SOP8
描述
HIP2100是高频100V半桥N沟道功率MOSFET驱动器IC。低端和高端栅极驱动器是独立控制的，匹配到8ns。这为用户提供了最大的灵活性死区时间选择和驱动程序协议。欠电压
低端和高端电源上的保护输出低。片上二极管消除了分立其他驱动器IC所需的二极管。一个新的电平转换器拓扑产生脉冲操作的低功耗优势直流操作的安全性。不像其他竞争对手
高端输出在经过一个高端电源的瞬时欠压。
特征
•驱动N沟道MOSFET半桥
•SOIC，EPSOIC，QFN和DFN封装选项
•符合100V的SOIC，EPSOIC和DFN封装IPC-2221导体间距指南
•提供无铅产品（符合RoHS要求）
•自举电源最大电压为114VDC
•片上1Ω自举二极管
•多MHz电路的快速传播时间
•以典型的上升和下降时间驱动1000pF负载。10ns
•CMOS输入阈值，可提高抗噪能力
•非半桥拓扑的独立输入
•没有启动问题
•输出不受电源故障影响，HS振铃在下面以高dv / dt接地或HS回转
•低功耗
•广泛的供应范围
•电源欠压保护
•3Ω驱动器输出电阻
•QFN / DFN封装：
-符合JEDEC PUB95 MO-220QFN-四方扁平无引线-封装外形图
-接近芯片级封装尺寸，可改善PCB效率高，外形更薄
规格
驱动配置 半桥
通道类型 独立式
驱动器数 2
栅极类型 N 沟道 MOSFET
电压 - 电源 9V ~ 14V
逻辑电压 - VIL，VIH 4V，7V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出） 2A，2A
输入类型 非反相
高压侧电压 - 最大值（自举） 114V
上升/下降时间（典型值） 10ns，10ns
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装 8-SOIC
应用领域
•电信半桥电源
•航空电子DC / DC转换器
•两开关正激转换器
•有源钳位正激转换器
实物图
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